English
Español
Русский
Синтетические алмазы hpht на заказ!
Технология HPHT включает в себя получение алмазов при температуре свыше 1400 градусов и давлении около 5 ГПа, используя метод температурного градиента. Установка, которая представляет собой многопуансонный современный гидравлический пресс, сжимает специальный контейнер – ростовую ячейку, внутри которого находится катализатор и графит. Процесс выращивания крупного кристалла или нескольких мелких длится около недели.
Выращенные в лаборатории алмазы имеют те же физические, химические и оптические характеристики, что и природные алмазы.
Свойства полученных монокристаллов алмаза абсолютно не отличаются от природных алмазов. Преимущество в том, что синтезом можно управлять, то есть он дает постоянство характеристик на выходе, и предсказуемые свойства, зависящие от растворителя и режимов синтеза.
Таблица сравнения природных и выращенных алмазов. Из нее видно, что они идентичны.
|
Параметры |
Природные алмазы |
Выращенные алмазы |
|
химические свойства |
Углерод (С) |
Углерод (С) |
|
показатели преломления |
2,42 |
2,42 |
|
Дисперсия |
0,044 |
0,044 |
|
Твердость |
10 |
10 |
|
Плотность |
3,52 |
3,52 |
Свойства полученных синтетических алмазов:
• размер до 8 мм;
• концентрация азота 0,5 – 2,0 ppm;
• теплопроводность до 2200 Вт/(м·К);
• диапазон оптической прозрачности от 225 нм до 25 мкм;
• высокое совершенство кристаллической структуры;
• низкий уровень люминесценции
(отношение интенсивности спектра КРС второго порядка к люминесцентному фону ~ 15 – 30);
• удельное электрическое сопротивление выше 1012 Ом·см;
• Твердость не менее 105 ГПа.
Свойства полученных синтетических алмазов:
• размер до 8 мм;
• концентрация азота 0,5 – 2,0 ppm;
• теплопроводность до 2200 Вт/(м·К);
• диапазон оптической прозрачности от 225 нм до 25 мкм;
• высокое совершенство кристаллической структуры;
• низкий уровень люминесценции
(отношение интенсивности спектра КРС второго порядка к люминесцентному фону ~ 15 – 30);
• удельное электрическое сопротивление выше 1012 Ом·см;
• Твердость не менее 105 ГПа.
В таблице показаны электрофизические свойства наиболее широко распространенных полупроводниковых материалов и алмаза.
|
Параметры |
Si |
GaN |
4H-SiC |
Алмаз |
|
ширина запрещенной зоны e (эв) |
1,12 |
3,44 |
3,23 |
5,45 |
|
диэлектрическая постоянная ε |
11,9 |
9 |
9,8 |
5,7 |
|
подвижность электров μ см /(в·с) |
1350 |
1150 |
900 |
2500 |
|
подвижность дырок μ см /в·с) |
480 |
200 |
120 |
1200 |
|
теплопроводность λ вт/см·к) |
1,5 |
2 |
5 |
24 |
|
jfm (нормировано по si) |
1 |
27,5 |
20 |
900 |
|
тепловой коэфицент расширения (нормировано по si) |
1 |
2,2 |
1,6 |
0,03 |
Сотрудничество
Мы всегда заинтересованы в расширении нашей партнерской сети, и, если Вы заинтересованы в индивидуальных проектах, основанных на наших передовых технологиях выращивания безазотных монокристаллов алмаза по самым высоким стандартам качества, превосходящих по размерам и характеристикам природные алмазы, Вы всегда можете обратиться к нам о возможности партнерства и сотрудничества.
НАУКА
как мы создаем наши бриллианты?
Процесс создания природного и синтетического алмаза чрезвычайно похож – только один происходит естественным образом, а другой происходит в лаборатории. Мы делаем науку простой и хотим поделиться с Вами нашей инновационной и усовершенствованной технологией производства синтетических алмазов HPHT.
Оставьте заявку
Пожалуйста, оставьте нам свои требования, мы свяжемся с вами в ближайшее время.