Новости

Установка CVD для синтеза алмазной пленки

Установка CVD (химическое газофазное осаждение)  представляет собой микроволновый плазменный реактор, предназначенный для синтеза алмазной пленки и драгоценных камней. Используя плазму высокой плотности, реактор позволяет получать алмазные пленки высокой чистоты с высокой скоростью роста.

Благодаря оптимизированной микроволновой и плазменной конструкции реактор представляет собой прочное и надежное в работе оборудование, идеально адаптированное к потребностям научно-исследовательских лабораторий. Его легко чистить и менять конфигурацию камер, что делает наиболее пригодным для легирования алмазных пленок.

Особенности и преимущества установки CVD

Плазма высокой плотности;

Высокое рабочее давление, до 300 мбар или более;

Микроволновый генератор 6 кВт (опционально-импульсный источник);

Четыре газовые линии (дополнительные линии по запросу);

Держатель подложки 2″ (50 мм);

Автоматическое выравнивание высоты держателя подложки во время выращивания (опция);

Легкая загрузка/выгрузка подложки;

Бихроматический ИК-пирометр (475 – 1475 °C);

Турбомолекулярный насос + сухой форвакуумный насос;

Базовое давление в реакторе: 5×10-7 мбар;

Полностью автоматизированный процесс;

Низкие эксплуатационные расходы.

Выращивание алмаза CVD

CVD алмазы для применения в электронике (CVD – химическое газофазное осаждение);

Высокие скорости роста;

Легирование азотом или бором;

Выращивание монокристаллов (для электронной и ювелирной промышленности) и поликристаллов;

Источник СВЧ 2.45 ГГц– 6 кВт.

Производительность реактора

Поликристаллические алмазы

Отсутствие азотных включений в фотолюминесцентном анализе при температуре жидкого азота.

Монокристаллический алмаз

Отсутствие азотных дефектов в фотолюминесцентном анализе при температуре жидкого азота;

Низкая концентрация примесного азота [NS0]≤1 ppb (измерено методом электронного парамагнитного резонанса EPR);

Параметр FWHM (анг. full width at half maximum – полная ширина/половина от максимума) линии комбинационного («Романовского») рассеивания алмаза 1332 см-1 : 1,6 см-1;

Отсутствие поглощения инфракрасного излучения от 4000 до 10000 см-1;

Скорость роста до 10 мкм/час, в зависимости от условий роста.